На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | IRFU120ATU | IRFU120N | IRFU120NPBF | IRFU120PBF | IRFU120_R4941 | IRFU120Z | IRFU120ZPBF | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | IPak, TO-251, DPak, VPak (3 straight leads + tab) | ||||||
Виробник | Виробник | Fairchild Semiconductor | International Rectifier | International Rectifier | Vishay/Siliconix | Fairchild Semiconductor | International Rectifier | International Rectifier |
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Крізь отвір | ||||||
Потужність | P | <2.5 Вт | <48 Вт | <48 Вт | <2.5 Вт | <50 Вт | <35 Вт | <35 Вт |
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 480 пФVds = 25V | 330 пФVds = 25V | 330 пФVds = 25V | 360 пФVds = 25V | 350 пФVds = 25V | 310 пФVds = 25V | 310 пФVds = 25V |
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <100 В | ||||||
Постійний струм стоку | IDSS | <8.4 А | <9.4 А | <9.4 А | <7.7 А | <8.4 А | <8.7 А | <8.7 А |
Тип каналу польового транзистора | Канал | N-ch | ||||||
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <200 мОмId, Vgs = 4.2A, 10V | <210 мОмId, Vgs = 5.6A, 10V | <210 мОмId, Vgs = 5.6A, 10V | <270 мОмId, Vgs = 4.6A, 10V | <270 мОмId, Vgs = 5.9A, 10V | <190 мОмId, Vgs = 5.2A, 10V | <190 мОмId, Vgs = 5.2A, 10V |
Серія MOSFET | Серія | (не задано) | HEXFET® | HEXFET® | (не задано) | (не задано) | HEXFET® | HEXFET® |
Заряд затвору | QG | 22 нCVgs = 10V | 25 нCVgs = 10V | 25 нCVgs = 10V | 16 нCVgs = 10V | 15 нCVgs = 10V | 10 нCVgs = 10V | 10 нCVgs = 10V |
FET Feature | FET Feature | Standard | ||||||