На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | IRFU024N | IRFU024NPBF | IRFU024PBF | |
|---|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | IPak, TO-251, DPak, VPak (3 straight leads + tab) | ||
Виробник | Виробник | International Rectifier | International Rectifier | Vishay/Siliconix |
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Крізь отвір | ||
Потужність | P | <45 Вт | <45 Вт | <2.5 Вт |
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 370 пФVds = 25V | 370 пФVds = 25V | 640 пФVds = 25V |
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <55 В | <55 В | <60 В |
Постійний струм стоку | IDSS | <17 А | <17 А | <14 А |
Тип каналу польового транзистора | Канал | N-ch | ||
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <75 мОмId, Vgs = 10A, 10V | <75 мОмId, Vgs = 10A, 10V | <100 мОмId, Vgs = 8.4A, 10V |
Серія MOSFET | Серія | HEXFET® | HEXFET® | (не задано) |
Заряд затвору | QG | 20 нCVgs = 10V | 20 нCVgs = 10V | 25 нCVgs = 10V |
FET Feature | FET Feature | Standard | ||