IRFSL5620

IRFSL5620, IRFSL5620PBF

На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.

Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.

Опис

Параметри

ПараметрIRFSL5620PBF
Корпус мікросхеми
Корпус
TO-262
Виробник
Виробник
International Rectifier
Тип монтажу компонента на плату чи в схему
Монтаж
Крізь отвір
Потужність
P
<144 Вт
Вхідна ємність польового транзистора
C11
1.71 нФVds = 50V
Постійна напруга між стоком та витоком
UDSS
<200 В
Постійний струм стоку
IDSS
<24 А
Тип каналу польового транзистора
Канал
N-ch
Опір каналу у відкритому стані
RDS-ON
<77.5 мОмId, Vgs = 15A, 10V
Заряд затвору
QG
38 нCVgs = 10V
FET Feature
FET Feature
Standard