На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | IRFSL31N20D | IRFSL31N20DPBF | IRFSL31N20DTRL | IRFSL31N20DTRR | |
|---|---|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | TO-262-3 (Straight Leads) | TO-262-3 (Straight Leads) | I²Pak, TO-262 (3 straight leads + tab) | I²Pak, TO-262 (3 straight leads + tab) |
Виробник | Виробник | International Rectifier | International Rectifier | Vishay/Siliconix | Vishay/Siliconix |
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Крізь отвір | |||
Потужність | P | <3.1 Вт | |||
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 2.37 нФVds = 25V | |||
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <200 В | |||
Постійний струм стоку | IDSS | <31 А | |||
Тип каналу польового транзистора | Канал | N-ch | |||
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <82 мОмId, Vgs = 18A, 10V | |||
Серія MOSFET | Серія | HEXFET® | |||
Заряд затвору | QG | 110 нCVgs = 10V | 107 нCVgs = 10V | 110 нCVgs = 10V | 110 нCVgs = 10V |
FET Feature | FET Feature | Standard | |||