На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | IRFSL23N20D | IRFSL23N20D102P | IRFSL23N20DPBF | |
|---|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | TO-262-3 (Straight Leads) | ||
Виробник | Виробник | International Rectifier | ||
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Крізь отвір | ||
Потужність | P | <3.8 Вт | ||
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 1.96 нФVds = 25V | ||
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <200 В | ||
Постійний струм стоку | IDSS | <24 А | ||
Тип каналу польового транзистора | Канал | N-ch | ||
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <100 мОмId, Vgs = 14A, 10V | ||
Серія MOSFET | Серія | HEXFET® | ||
Заряд затвору | QG | 86 нCVgs = 10V | ||
FET Feature | FET Feature | Standard | ||