На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | IRFS9N60A | IRFS9N60APBF | IRFS9N60ATRL | IRFS9N60ATRLPBF | IRFS9N60ATRR | IRFS9N60ATRRPBF | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | D²Pak, TO-263 (2 leads + tab) | |||||
Виробник | Виробник | Vishay/Siliconix | |||||
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий | |||||
Потужність | P | <170 Вт | |||||
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 1.4 нФVds = 25V | |||||
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <600 В | |||||
Постійний струм стоку | IDSS | <9.2 А | |||||
Тип каналу польового транзистора | Канал | N-ch | |||||
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <750 мОмId, Vgs = 5.5A, 10V | |||||
Серія MOSFET | Серія | HEXFET® | (не задано) | HEXFET® | (не задано) | HEXFET® | (не задано) |
Заряд затвору | QG | 49 нCVgs = 10V | |||||
FET Feature | FET Feature | Standard | |||||