IRFS5615TRLPBF

IRFS5615, IRFS5615PBF, IRFS5615TRLPBF

На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.

Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.

Опис

Параметри

ПараметрIRFS5615PBFIRFS5615TRLPBF
Корпус мікросхеми
Корпус
D²Pak, TO-263 (2 leads + tab)
Виробник
Виробник
International Rectifier
Тип монтажу компонента на плату чи в схему
Монтаж
Поверхневий
Потужність
P
<144 Вт
Вхідна ємність польового транзистора
C11
1.75 нФVds = 50V
Постійна напруга між стоком та витоком
UDSS
<150 В
Постійний струм стоку
IDSS
<33 А
Тип каналу польового транзистора
Канал
N-ch
Опір каналу у відкритому стані
RDS-ON
<42 мОмId, Vgs = 21A, 10V
Заряд затвору
QG
40 нCVgs = 10V
FET Feature
FET Feature
Standard