На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | IRFS4410PBF | IRFS4410TRLPBF | IRFS4410ZPBF | |
|---|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | D²Pak, TO-263 (2 leads + tab) | ||
Виробник | Виробник | International Rectifier | ||
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий | ||
Потужність | P | <200 Вт | <200 Вт | <230 Вт |
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 5.15 нФVds = 50V | 5.15 нФVds = 50V | 4.82 нФVds = 50V |
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <100 В | ||
Постійний струм стоку | IDSS | <88 А | <88 А | <97 А |
Тип каналу польового транзистора | Канал | N-ch | ||
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <10 мОмId, Vgs = 58A, 10V | <10 мОмId, Vgs = 58A, 10V | <9 мОмId, Vgs = 58A, 10V |
Серія MOSFET | Серія | HEXFET® | ||
Заряд затвору | QG | 180 нCVgs = 10V | 180 нCVgs = 10V | 120 нCVgs = 10V |
FET Feature | FET Feature | Standard | Standard | Logic Level Gate |