На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | IRFS4115-7PPBF | IRFS4115PBF | IRFS4115TRL7PP | IRFS4115TRLPBF | |
|---|---|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | D²Pak, TO-263 (6 leads + tab) | D²Pak, TO-263 (2 leads + tab) | D²Pak, TO-263 (7 leads + tab) | D²Pak, TO-263 (2 leads + tab) |
Виробник | Виробник | International Rectifier | |||
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий | |||
Потужність | P | <380 Вт | <375 Вт | <380 Вт | <375 Вт |
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 5.32 нФVds = 50V | 5.27 нФVds = 50V | 5.32 нФVds = 50V | 5.27 нФVds = 50V |
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <150 В | |||
Постійний струм стоку | IDSS | <105 А | <195 А | <105 А | <195 А |
Тип каналу польового транзистора | Канал | N-ch | |||
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <11.8 мОмId, Vgs = 63A, 10V | <12.1 мОмId, Vgs = 62A, 10V | <11.8 мОмId, Vgs = 63A, 10V | <12.1 мОмId, Vgs = 62A, 10V |
Серія MOSFET | Серія | HEXFET® | |||
Заряд затвору | QG | 110 нCVgs = 10V | 120 нCVgs = 10V | 110 нCVgs = 10V | 120 нCVgs = 10V |
FET Feature | FET Feature | Standard | |||