На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | IRFS3307PBF | IRFS3307TRLPBF | IRFS3307ZPBF | |
|---|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | D²Pak, TO-263 (2 leads + tab) | ||
Виробник | Виробник | International Rectifier | ||
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий | ||
Потужність | P | <200 Вт | <200 Вт | <230 Вт |
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 5.15 нФVds = 50V | 5.15 нФVds = 50V | 4.75 нФVds = 50V |
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <75 В | ||
Постійний струм стоку | IDSS | <120 А | ||
Тип каналу польового транзистора | Канал | N-ch | ||
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <6.3 мОмId, Vgs = 75A, 10V | <6.3 мОмId, Vgs = 75A, 10V | <5.8 мОмId, Vgs = 75A, 10V |
Серія MOSFET | Серія | HEXFET® | ||
Заряд затвору | QG | 180 нCVgs = 10V | 180 нCVgs = 10V | 110 нCVgs = 10V |
FET Feature | FET Feature | Standard | ||