На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | IRFS3207PBF | IRFS3207TRLPBF | IRFS3207ZPBF | |
|---|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | D²Pak, TO-263 (2 leads + tab) | ||
Виробник | Виробник | International Rectifier | ||
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий | ||
Потужність | P | <300 Вт | ||
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 7.6 нФVds = 50V | 7.6 нФVds = 50V | 6.92 нФVds = 50V |
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <75 В | ||
Постійний струм стоку | IDSS | <170 А | <170 А | <120 А |
Тип каналу польового транзистора | Канал | N-ch | ||
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <4.5 мОмId, Vgs = 75A, 10V | <4.5 мОмId, Vgs = 75A, 10V | <4.1 мОмId, Vgs = 75A, 10V |
Серія MOSFET | Серія | HEXFET® | ||
Заряд затвору | QG | 260 нCVgs = 10V | 260 нCVgs = 10V | 170 нCVgs = 10V |
FET Feature | FET Feature | Standard | Standard | Logic Level Gate |