На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | IRFS23N20D | IRFS23N20DPBF | IRFS23N20DTRLP | IRFS23N20DTRRP | |
|---|---|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | D²Pak, TO-263 (2 leads + tab) | |||
Виробник | Виробник | International Rectifier | |||
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий | |||
Потужність | P | <3.8 Вт | |||
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 1.96 нФVds = 25V | |||
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <200 В | |||
Постійний струм стоку | IDSS | <24 А | |||
Тип каналу польового транзистора | Канал | N-ch | |||
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <100 мОмId, Vgs = 14A, 10V | |||
Серія MOSFET | Серія | HEXFET® | |||
Заряд затвору | QG | 86 нCVgs = 10V | |||
FET Feature | FET Feature | Standard | |||