На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | IRFS17N20D | IRFS17N20DPBF | IRFS17N20DTRL | IRFS17N20DTRLP | IRFS17N20DTRR | IRFS17N20DTRRP | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | D²Pak, TO-263 (2 leads + tab) | |||||
Виробник | Виробник | International Rectifier | |||||
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий | |||||
Потужність | P | <3.8 Вт | |||||
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 1.1 нФVds = 25V | |||||
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <200 В | |||||
Постійний струм стоку | IDSS | <16 А | |||||
Тип каналу польового транзистора | Канал | N-ch | |||||
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <170 мОмId, Vgs = 9.8A, 10V | |||||
Серія MOSFET | Серія | HEXFET® | |||||
Заряд затвору | QG | 50 нCVgs = 10V | |||||
FET Feature | FET Feature | Standard | |||||