На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | IRFR9N20D | IRFR9N20DPBF | IRFR9N20DTR | IRFR9N20DTRL | IRFR9N20DTRLPBF | IRFR9N20DTRPBF | IRFR9N20DTRR | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63 | ||||||
Виробник | Виробник | International Rectifier | ||||||
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий | ||||||
Потужність | P | <86 Вт | ||||||
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 560 пФVds = 25V | ||||||
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <200 В | ||||||
Постійний струм стоку | IDSS | <9.4 А | ||||||
Тип каналу польового транзистора | Канал | N-ch | ||||||
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <380 мОмId, Vgs = 5.6A, 10V | ||||||
Серія MOSFET | Серія | HEXFET® | ||||||
Заряд затвору | QG | 27 нCVgs = 10V | ||||||
FET Feature | FET Feature | Standard | ||||||