На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | IRFR5305CPBF | IRFR5305PBF | IRFR5305TR | IRFR5305TRL | IRFR5305TRLPBF | IRFR5305TRPBF | IRFR5305TRR | IRFR5305TRRPBF | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63 | |||||||
Виробник | Виробник | International Rectifier | |||||||
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий | |||||||
Потужність | P | <110 Вт | |||||||
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 1.2 нФVds = 25V | |||||||
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <55 В | |||||||
Постійний струм стоку | IDSS | <31 А | |||||||
Тип каналу польового транзистора | Канал | P-ch | |||||||
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <65 мОмId, Vgs = 16A, 10V | |||||||
Серія MOSFET | Серія | HEXFET® | |||||||
Заряд затвору | QG | 63 нCVgs = 10V | |||||||
FET Feature | FET Feature | Standard | |||||||