IRFR420BTM

IRFR420, IRFR420APBF, IRFR420BTM, IRFR420PBF, IRFR420TR, IRFR420TRL, IRFR420TRLPBF, IRFR420TRPBF, IRFR420TRR, IRFR420TRRPBF

На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.

Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.

Опис

Параметри

ПараметрIRFR420APBFIRFR420BTMIRFR420PBFIRFR420TRIRFR420TRLIRFR420TRLPBFIRFR420TRPBFIRFR420TRRIRFR420TRRPBF
Корпус мікросхеми
Корпус
DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63
Виробник
Виробник
Vishay/SiliconixFairchild SemiconductorVishay/SiliconixVishay/SiliconixVishay/SiliconixVishay/SiliconixVishay/SiliconixVishay/SiliconixVishay/Siliconix
Тип монтажу компонента на плату чи в схему
Монтаж
Поверхневий
Потужність
P
<83 Вт<2.5 Вт<2.5 Вт<2.5 Вт<2.5 Вт<2.5 Вт<2.5 Вт<2.5 Вт<2.5 Вт
Вхідна ємність польового транзистора
C11
340 пФVds = 25V610 пФVds = 25V360 пФVds = 25V360 пФVds = 25V360 пФVds = 25V360 пФVds = 25V360 пФVds = 25V360 пФVds = 25V360 пФVds = 25V
Постійна напруга між стоком та витоком
UDSS
<500 В
Постійний струм стоку
IDSS
<3.3 А<2.3 А<2.4 А<2.4 А<2.4 А<2.4 А<2.4 А<2.4 А<2.4 А
Тип каналу польового транзистора
Канал
N-ch
Опір каналу у відкритому стані
RDS-ON
<3 ОмId, Vgs = 1.5A, 10V<2.6 ОмId, Vgs = 1.15A, 10V<3 ОмId, Vgs = 1.4A, 10V<3 ОмId, Vgs = 1.4A, 10V<3 ОмId, Vgs = 1.4A, 10V<3 ОмId, Vgs = 1.4A, 10V<3 ОмId, Vgs = 1.4A, 10V<3 ОмId, Vgs = 1.4A, 10V<3 ОмId, Vgs = 1.4A, 10V
Заряд затвору
QG
17 нCVgs = 10V18 нCVgs = 10V19 нCVgs = 10V19 нCVgs = 10V19 нCVgs = 10V19 нCVgs = 10V19 нCVgs = 10V19 нCVgs = 10V19 нCVgs = 10V
FET Feature
FET Feature
Standard