IRFR4105

IRFR4105, IRFR4105PBF, IRFR4105TR, IRFR4105TRL, IRFR4105TRLPBF, IRFR4105TRPBF, IRFR4105TRR, IRFR4105Z, IRFR4105ZPBF, IRFR4105ZTR, IRFR4105ZTRL, IRFR4105ZTRLPBF, IRFR4105ZTRPBF, IRFR4105ZTRR, IRFR4105ZTRRPBF

На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.

Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.

Опис

Параметри

ПараметрIRFR4105PBFIRFR4105TRIRFR4105TRLIRFR4105TRLPBFIRFR4105TRPBFIRFR4105TRRIRFR4105ZIRFR4105ZPBFIRFR4105ZTRIRFR4105ZTRLIRFR4105ZTRLPBFIRFR4105ZTRPBFIRFR4105ZTRRIRFR4105ZTRRPBF
Корпус мікросхеми
Корпус
DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63
Виробник
Виробник
International Rectifier
Тип монтажу компонента на плату чи в схему
Монтаж
Поверхневий
Потужність
P
<68 Вт<68 Вт<68 Вт<68 Вт<68 Вт<68 Вт<48 Вт<48 Вт<48 Вт<48 Вт<48 Вт<48 Вт<48 Вт<48 Вт
Вхідна ємність польового транзистора
C11
700 пФVds = 25V700 пФVds = 25V700 пФVds = 25V700 пФVds = 25V700 пФVds = 25V700 пФVds = 25V740 пФVds = 25V740 пФVds = 25V740 пФVds = 25V740 пФVds = 25V740 пФVds = 25V740 пФVds = 25V740 пФVds = 25V740 пФVds = 25V
Постійна напруга між стоком та витоком
UDSS
<55 В
Постійний струм стоку
IDSS
<27 А<27 А<27 А<27 А<27 А<27 А<30 А<30 А<30 А<30 А<30 А<30 А<30 А<30 А
Тип каналу польового транзистора
Канал
N-ch
Опір каналу у відкритому стані
RDS-ON
<45 мОмId, Vgs = 16A, 10V<45 мОмId, Vgs = 16A, 10V<45 мОмId, Vgs = 16A, 10V<45 мОмId, Vgs = 16A, 10V<45 мОмId, Vgs = 16A, 10V<45 мОмId, Vgs = 16A, 10V<24.5 мОмId, Vgs = 18A, 10V<24.5 мОмId, Vgs = 18A, 10V<24.5 мОмId, Vgs = 18A, 10V<24.5 мОмId, Vgs = 18A, 10V<24.5 мОмId, Vgs = 18A, 10V<24.5 мОмId, Vgs = 18A, 10V<24.5 мОмId, Vgs = 18A, 10V<24.5 мОмId, Vgs = 18A, 10V
Серія MOSFET
Серія
HEXFET®
Заряд затвору
QG
34 нCVgs = 10V34 нCVgs = 10V34 нCVgs = 10V34 нCVgs = 10V34 нCVgs = 10V34 нCVgs = 10V27 нCVgs = 10V27 нCVgs = 10V27 нCVgs = 10V27 нCVgs = 10V27 нCVgs = 10V27 нCVgs = 10V27 нCVgs = 10V27 нCVgs = 10V
FET Feature
FET Feature
Standard