На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | IRFR3910CPBF | IRFR3910PBF | IRFR3910TR | IRFR3910TRL | IRFR3910TRLPBF | IRFR3910TRPBF | IRFR3910TRR | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63 | ||||||
Виробник | Виробник | International Rectifier | ||||||
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий | ||||||
Потужність | P | <79 Вт | ||||||
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 640 пФVds = 25V | ||||||
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <100 В | ||||||
Постійний струм стоку | IDSS | <16 А | ||||||
Тип каналу польового транзистора | Канал | N-ch | ||||||
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <115 мОмId, Vgs = 10A, 10V | ||||||
Серія MOSFET | Серія | HEXFET® | ||||||
Заряд затвору | QG | 44 нCVgs = 10V | ||||||
FET Feature | FET Feature | Standard | ||||||