На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | IRFR3710Z | IRFR3710ZPBF | IRFR3710ZTR | IRFR3710ZTRL | IRFR3710ZTRLPBF | IRFR3710ZTRPBF | IRFR3710ZTRR | IRFR3710ZTRRPBF | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63 | |||||||
Виробник | Виробник | International Rectifier | |||||||
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий | |||||||
Потужність | P | <140 Вт | |||||||
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 2.93 нФVds = 25V | |||||||
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <100 В | |||||||
Постійний струм стоку | IDSS | <42 А | |||||||
Тип каналу польового транзистора | Канал | N-ch | |||||||
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <18 мОмId, Vgs = 33A, 10V | |||||||
Серія MOSFET | Серія | HEXFET® | |||||||
Заряд затвору | QG | 100 нCVgs = 10V | |||||||
FET Feature | FET Feature | Logic Level Gate | |||||||