На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | IRFR3709Z | IRFR3709ZCPBF | IRFR3709ZCTRPBF | IRFR3709ZCTRRP | IRFR3709ZPBF | IRFR3709ZTR | IRFR3709ZTRLPBF | IRFR3709ZTRPBF | IRFR3709ZTRRPBF | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63 | ||||||||
Виробник | Виробник | International Rectifier | ||||||||
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий | ||||||||
Потужність | P | <79 Вт | ||||||||
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 2.33 нФVds = 15V | ||||||||
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <30 В | ||||||||
Постійний струм стоку | IDSS | <86 А | ||||||||
Тип каналу польового транзистора | Канал | N-ch | ||||||||
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <6.5 мОмId, Vgs = 15A, 10V | ||||||||
Серія MOSFET | Серія | HEXFET® | ||||||||
Заряд затвору | QG | 26 нCVgs = 4.5V | ||||||||
FET Feature | FET Feature | Logic Level Gate | ||||||||