На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | IRFR3706CPBF | IRFR3706CTRLPBF | IRFR3706CTRPBF | IRFR3706CTRRPBF | IRFR3706PBF | IRFR3706TR | IRFR3706TRL | IRFR3706TRLPBF | IRFR3706TRPBF | IRFR3706TRR | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63 | |||||||||
Виробник | Виробник | International Rectifier | |||||||||
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий | |||||||||
Потужність | P | <88 Вт | |||||||||
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 2.41 нФVds = 10V | |||||||||
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <20 В | |||||||||
Постійний струм стоку | IDSS | <75 А | |||||||||
Тип каналу польового транзистора | Канал | N-ch | |||||||||
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <9 мОмId, Vgs = 15A, 10V | |||||||||
Серія MOSFET | Серія | HEXFET® | |||||||||
Заряд затвору | QG | 35 нCVgs = 4.5V | |||||||||
FET Feature | FET Feature | Logic Level Gate | |||||||||