IRFR3504PBF

IRFR3504, IRFR3504PBF, IRFR3504TRLPBF, IRFR3504TRPBF, IRFR3504TRRPBF, IRFR3504Z, IRFR3504ZPBF, IRFR3504ZTR, IRFR3504ZTRL, IRFR3504ZTRLPBF, IRFR3504ZTRPBF, IRFR3504ZTRR, IRFR3504ZTRRPBF

На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.

Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.

Опис

Параметри

Параметр		IRFR3504PBF	IRFR3504TRLPBF	IRFR3504TRPBF	IRFR3504TRRPBF	IRFR3504Z	IRFR3504ZPBF	IRFR3504ZTR	IRFR3504ZTRL	IRFR3504ZTRLPBF	IRFR3504ZTRPBF	IRFR3504ZTRR	IRFR3504ZTRRPBF
Корпус мікросхеми	Корпус	DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63
Виробник	Виробник	International Rectifier
Тип монтажу компонента на плату чи в схему	Монтаж	Поверхневий
Потужність	P	<140 Вт	<140 Вт	<140 Вт	<140 Вт	<90 Вт	<90 Вт	<90 Вт	<90 Вт	<90 Вт	<90 Вт	<90 Вт	<90 Вт
Вхідна ємність польового транзистора	C₁₁	2.15 нФVds = 25V	2.15 нФVds = 25V	2.15 нФVds = 25V	2.15 нФVds = 25V	1.51 нФVds = 25V	1.51 нФVds = 25V	1.51 нФVds = 25V	1.51 нФVds = 25V	1.51 нФVds = 25V	1.51 нФVds = 25V	1.51 нФVds = 25V	1.51 нФVds = 25V
Постійна напруга між стоком та витоком	U_DSS	<40 В
Постійний струм стоку	I_DSS	<30 А	<30 А	<30 А	<30 А	<42 А	<42 А	<42 А	<42 А	<42 А	<42 А	<42 А	<42 А
Тип каналу польового транзистора	Канал	N-ch
Опір каналу у відкритому стані	R_DS-ON	<9.2 мОмId, Vgs = 30A, 10V	<9.2 мОмId, Vgs = 30A, 10V	<9.2 мОмId, Vgs = 30A, 10V	<9.2 мОмId, Vgs = 30A, 10V	<9 мОмId, Vgs = 42A, 10V	<9 мОмId, Vgs = 42A, 10V	<9 мОмId, Vgs = 42A, 10V	<9 мОмId, Vgs = 42A, 10V	<9 мОмId, Vgs = 42A, 10V	<9 мОмId, Vgs = 42A, 10V	<9 мОмId, Vgs = 42A, 10V	<9 мОмId, Vgs = 42A, 10V
Серія MOSFET	Серія	HEXFET®
Заряд затвору	Q_G	71 нCVgs = 10V	71 нCVgs = 10V	71 нCVgs = 10V	71 нCVgs = 10V	45 нCVgs = 10V	45 нCVgs = 10V	45 нCVgs = 10V	45 нCVgs = 10V	45 нCVgs = 10V	45 нCVgs = 10V	45 нCVgs = 10V	45 нCVgs = 10V
FET Feature	FET Feature	Standard