На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | IRFR3412PBF | IRFR3412TRLPBF | IRFR3412TRPBF | IRFR3412TRRPBF | |
|---|---|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63 | |||
Виробник | Виробник | International Rectifier | |||
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий | |||
Потужність | P | <140 Вт | |||
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 3.43 нФVds = 25V | |||
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <100 В | |||
Постійний струм стоку | IDSS | <48 А | |||
Тип каналу польового транзистора | Канал | N-ch | |||
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <25 мОмId, Vgs = 29A, 10V | |||
Серія MOSFET | Серія | HEXFET® | |||
Заряд затвору | QG | 89 нCVgs = 10V | |||
FET Feature | FET Feature | Standard | |||