IRFR120_R4941

IRFR120, IRFR120ATM, IRFR120N, IRFR120NCPBF, IRFR120NCTRLPBF, IRFR120NPBF, IRFR120NTR, IRFR120NTRL, IRFR120NTRLPBF, IRFR120NTRPBF, IRFR120NTRR, IRFR120NTRRPBF, IRFR120PBF, IRFR120_R4941, IRFR120TR, IRFR120TRL, IRFR120TRLPBF, IRFR120TRR, IRFR120Z, IRFR120ZPBF, IRFR120ZTR, IRFR120ZTRL, IRFR120ZTRLPBF, IRFR120ZTRPBF

На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.

Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.

Опис

Параметри

Параметр		IRFR120ATM	IRFR120N	IRFR120NCPBF	IRFR120NCTRLPBF	IRFR120NPBF	IRFR120NTR	IRFR120NTRL	IRFR120NTRLPBF	IRFR120NTRPBF	IRFR120NTRR	IRFR120NTRRPBF	IRFR120PBF	IRFR120_R4941	IRFR120TR	IRFR120TRL	IRFR120TRLPBF	IRFR120TRR	IRFR120Z	IRFR120ZPBF	IRFR120ZTR	IRFR120ZTRL	IRFR120ZTRLPBF	IRFR120ZTRPBF
Корпус мікросхеми	Корпус	DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63
Виробник	Виробник	Fairchild Semiconductor	International Rectifier	International Rectifier	International Rectifier	International Rectifier	International Rectifier	International Rectifier	International Rectifier	International Rectifier	International Rectifier	International Rectifier	Vishay/Siliconix	Fairchild Semiconductor	Vishay/Siliconix	Vishay/Siliconix	Vishay/Siliconix	Vishay/Siliconix	International Rectifier	International Rectifier	International Rectifier	International Rectifier	International Rectifier	International Rectifier
Тип монтажу компонента на плату чи в схему	Монтаж	Поверхневий
Потужність	P	<2.5 Вт	<48 Вт	<48 Вт	<48 Вт	<48 Вт	<48 Вт	<48 Вт	<48 Вт	<48 Вт	<48 Вт	<48 Вт	<2.5 Вт	<50 Вт	<2.5 Вт	<2.5 Вт	<2.5 Вт	<2.5 Вт	<35 Вт	<35 Вт	<35 Вт	<35 Вт	<35 Вт	<35 Вт
Вхідна ємність польового транзистора	C₁₁	480 пФVds = 25V	330 пФVds = 25V	330 пФVds = 25V	330 пФVds = 25V	330 пФVds = 25V	330 пФVds = 25V	330 пФVds = 25V	330 пФVds = 25V	330 пФVds = 25V	330 пФVds = 25V	330 пФVds = 25V	360 пФVds = 25V	350 пФVds = 25V	360 пФVds = 25V	360 пФVds = 25V	360 пФVds = 25V	360 пФVds = 25V	310 пФVds = 25V	310 пФVds = 25V	310 пФVds = 25V	310 пФVds = 25V	310 пФVds = 25V	310 пФVds = 25V
Постійна напруга між стоком та витоком	U_DSS	<100 В
Постійний струм стоку	I_DSS	<8.4 А	<9.4 А	<9.4 А	<9.4 А	<9.4 А	<9.4 А	<9.4 А	<9.4 А	<9.4 А	<9.4 А	<9.4 А	<7.7 А	<8.4 А	<7.7 А	<7.7 А	<7.7 А	<7.7 А	<8.7 А	<8.7 А	<8.7 А	<8.7 А	<8.7 А	<8.7 А
Тип каналу польового транзистора	Канал	N-ch
Опір каналу у відкритому стані	R_DS-ON	<200 мОмId, Vgs = 4.2A, 10V	<210 мОмId, Vgs = 5.6A, 10V	<210 мОмId, Vgs = 5.6A, 10V	<210 мОмId, Vgs = 5.6A, 10V	<210 мОмId, Vgs = 5.6A, 10V	<210 мОмId, Vgs = 5.6A, 10V	<210 мОмId, Vgs = 5.6A, 10V	<210 мОмId, Vgs = 5.6A, 10V	<210 мОмId, Vgs = 5.6A, 10V	<210 мОмId, Vgs = 5.6A, 10V	<210 мОмId, Vgs = 5.6A, 10V	<270 мОмId, Vgs = 4.6A, 10V	<270 мОмId, Vgs = 5.9A, 10V	<270 мОмId, Vgs = 4.6A, 10V	<270 мОмId, Vgs = 4.6A, 10V	<270 мОмId, Vgs = 4.6A, 10V	<270 мОмId, Vgs = 4.6A, 10V	<190 мОмId, Vgs = 5.2A, 10V	<190 мОмId, Vgs = 5.2A, 10V	<190 мОмId, Vgs = 5.2A, 10V	<190 мОмId, Vgs = 5.2A, 10V	<190 мОмId, Vgs = 5.2A, 10V	<190 мОмId, Vgs = 5.2A, 10V
Серія MOSFET	Серія	(не задано)	HEXFET®	HEXFET®	HEXFET®	HEXFET®	HEXFET®	HEXFET®	HEXFET®	HEXFET®	HEXFET®	HEXFET®	(не задано)	(не задано)	(не задано)	(не задано)	(не задано)	(не задано)	HEXFET®	HEXFET®	HEXFET®	HEXFET®	HEXFET®	HEXFET®
Заряд затвору	Q_G	22 нCVgs = 10V	25 нCVgs = 10V	25 нCVgs = 10V	25 нCVgs = 10V	25 нCVgs = 10V	25 нCVgs = 10V	25 нCVgs = 10V	25 нCVgs = 10V	25 нCVgs = 10V	25 нCVgs = 10V	25 нCVgs = 10V	16 нCVgs = 10V	15 нCVgs = 10V	16 нCVgs = 10V	16 нCVgs = 10V	16 нCVgs = 10V	16 нCVgs = 10V	10 нCVgs = 10V	10 нCVgs = 10V	10 нCVgs = 10V	10 нCVgs = 10V	10 нCVgs = 10V	10 нCVgs = 10V
FET Feature	FET Feature	Standard