На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | IRFR110PBF | IRFR110TR | IRFR110TRL | IRFR110TRLPBF | IRFR110TRPBF | IRFR110TRR | IRFR110TRRPBF | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63 | ||||||
Виробник | Виробник | Vishay/Siliconix | ||||||
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий | ||||||
Потужність | P | <2.5 Вт | ||||||
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 180 пФVds = 25V | ||||||
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <100 В | ||||||
Постійний струм стоку | IDSS | <4.3 А | ||||||
Тип каналу польового транзистора | Канал | N-ch | ||||||
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <540 мОмId, Vgs = 2.6A, 10V | ||||||
Заряд затвору | QG | 8.3 нCVgs = 10V | ||||||
FET Feature | FET Feature | Standard | ||||||