На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | IRFR1010Z | IRFR1010ZPBF | IRFR1010ZTRLPBF | IRFR1010ZTRPBF | IRFR1010ZTRRPBF | |
|---|---|---|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63 | ||||
Виробник | Виробник | International Rectifier | ||||
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий | ||||
Потужність | P | <140 Вт | ||||
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 2.84 нФVds = 25V | ||||
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <55 В | ||||
Постійний струм стоку | IDSS | <42 А | ||||
Тип каналу польового транзистора | Канал | N-ch | ||||
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <7.5 мОмId, Vgs = 42A, 10V | ||||
Серія MOSFET | Серія | HEXFET® | ||||
Заряд затвору | QG | 95 нCVgs = 10V | ||||
FET Feature | FET Feature | Standard | ||||