На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | IRFR024N | IRFR024NPBF | IRFR024NTR | IRFR024NTRL | IRFR024NTRLPBF | IRFR024NTRPBF | IRFR024NTRR | IRFR024NTRRPBF | IRFR024PBF | IRFR024TR | IRFR024TRL | IRFR024TRPBF | IRFR024TRR | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63 | ||||||||||||
Виробник | Виробник | International Rectifier | International Rectifier | International Rectifier | International Rectifier | International Rectifier | International Rectifier | International Rectifier | International Rectifier | Vishay/Siliconix | Vishay/Siliconix | Vishay/Siliconix | Vishay/Siliconix | Vishay/Siliconix |
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий | ||||||||||||
Потужність | P | <45 Вт | <45 Вт | <45 Вт | <45 Вт | <45 Вт | <45 Вт | <45 Вт | <45 Вт | <2.5 Вт | <2.5 Вт | <2.5 Вт | <2.5 Вт | <2.5 Вт |
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 370 пФVds = 25V | 370 пФVds = 25V | 370 пФVds = 25V | 370 пФVds = 25V | 370 пФVds = 25V | 370 пФVds = 25V | 370 пФVds = 25V | 370 пФVds = 25V | 640 пФVds = 25V | 640 пФVds = 25V | 640 пФVds = 25V | 640 пФVds = 25V | 640 пФVds = 25V |
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <55 В | <55 В | <55 В | <55 В | <55 В | <55 В | <55 В | <55 В | <60 В | <60 В | <60 В | <60 В | <60 В |
Постійний струм стоку | IDSS | <17 А | <17 А | <17 А | <17 А | <17 А | <17 А | <17 А | <17 А | <14 А | <14 А | <14 А | <14 А | <14 А |
Тип каналу польового транзистора | Канал | N-ch | ||||||||||||
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <75 мОмId, Vgs = 10A, 10V | <75 мОмId, Vgs = 10A, 10V | <75 мОмId, Vgs = 10A, 10V | <75 мОмId, Vgs = 10A, 10V | <75 мОмId, Vgs = 10A, 10V | <75 мОмId, Vgs = 10A, 10V | <75 мОмId, Vgs = 10A, 10V | <75 мОмId, Vgs = 10A, 10V | <100 мОмId, Vgs = 8.4A, 10V | <100 мОмId, Vgs = 8.4A, 10V | <100 мОмId, Vgs = 8.4A, 10V | <100 мОмId, Vgs = 8.4A, 10V | <100 мОмId, Vgs = 8.4A, 10V |
Серія MOSFET | Серія | HEXFET® | HEXFET® | HEXFET® | HEXFET® | HEXFET® | HEXFET® | HEXFET® | HEXFET® | (не задано) | (не задано) | (не задано) | (не задано) | HEXFET® |
Заряд затвору | QG | 20 нCVgs = 10V | 20 нCVgs = 10V | 20 нCVgs = 10V | 20 нCVgs = 10V | 20 нCVgs = 10V | 20 нCVgs = 10V | 20 нCVgs = 10V | 20 нCVgs = 10V | 25 нCVgs = 10V | 25 нCVgs = 10V | 25 нCVgs = 10V | 25 нCVgs = 10V | 25 нCVgs = 10V |
FET Feature | FET Feature | Standard | ||||||||||||