IRFPS35N50LPBF

IRFPS35N50, IRFPS35N50LPBF

На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.

Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.

Опис

Параметри

ПараметрIRFPS35N50LPBF
Корпус мікросхеми
Корпус
Super-247
Виробник
Виробник
Vishay/Siliconix
Тип монтажу компонента на плату чи в схему
Монтаж
Крізь отвір
Потужність
P
<450 Вт
Вхідна ємність польового транзистора
C11
5.58 нФVds = 25V
Постійна напруга між стоком та витоком
UDSS
<500 В
Постійний струм стоку
IDSS
<34 А
Тип каналу польового транзистора
Канал
N-ch
Опір каналу у відкритому стані
RDS-ON
<145 мОмId, Vgs = 20A, 10V
Заряд затвору
QG
230 нCVgs = 10V
FET Feature
FET Feature
Standard