IRFPS29N60

IRFPS29N60, IRFPS29N60LPBF

На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.

Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.

Опис

Параметри

ПараметрIRFPS29N60LPBF
Корпус мікросхеми
Корпус
Super-247
Виробник
Виробник
Vishay/Siliconix
Тип монтажу компонента на плату чи в схему
Монтаж
Крізь отвір
Потужність
P
<480 Вт
Вхідна ємність польового транзистора
C11
6.16 нФVds = 25V
Постійна напруга між стоком та витоком
UDSS
<600 В
Постійний струм стоку
IDSS
<29 А
Тип каналу польового транзистора
Канал
N-ch
Опір каналу у відкритому стані
RDS-ON
<210 мОмId, Vgs = 17A, 10V
Заряд затвору
QG
220 нCVgs = 10V
FET Feature
FET Feature
Standard