На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | IRFP9140N | IRFP9140NPBF | IRFP9140PBF | |
|---|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | TO-247-3 (Straight Leads), TO-247AC | ||
Виробник | Виробник | International Rectifier | International Rectifier | Vishay/Siliconix |
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Крізь отвір | ||
Потужність | P | <140 Вт | <140 Вт | <180 Вт |
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 1.3 нФVds = 25V | 1.3 нФVds = 25V | 1.4 нФVds = 25V |
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <100 В | ||
Постійний струм стоку | IDSS | <23 А | <23 А | <21 А |
Тип каналу польового транзистора | Канал | P-ch | ||
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <117 мОмId, Vgs = 13A, 10V | <117 мОмId, Vgs = 13A, 10V | <200 мОмId, Vgs = 13A, 10V |
Серія MOSFET | Серія | HEXFET® | HEXFET® | (не задано) |
Заряд затвору | QG | 97 нCVgs = 10V | 97 нCVgs = 10V | 61 нCVgs = 10V |
FET Feature | FET Feature | Standard | ||