На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | IRFP260N | IRFP260NPBF | IRFP260PBF | |
|---|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | TO-247-3 (Straight Leads), TO-247AD | ||
Виробник | Виробник | International Rectifier | International Rectifier | Vishay/Siliconix |
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Крізь отвір | ||
Потужність | P | <300 Вт | <300 Вт | <280 Вт |
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 4.057 нФVds = 25V | 4.057 нФVds = 25V | 5.2 нФVds = 25V |
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <200 В | ||
Постійний струм стоку | IDSS | <50 А | <50 А | <46 А |
Тип каналу польового транзистора | Канал | N-ch | ||
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <40 мОмId, Vgs = 28A, 10V | <40 мОмId, Vgs = 28A, 10V | <55 мОмId, Vgs = 28A, 10V |
Серія MOSFET | Серія | HEXFET® | HEXFET® | (не задано) |
Заряд затвору | QG | 234 нCVgs = 10V | 234 нCVgs = 10V | 230 нCVgs = 10V |
FET Feature | FET Feature | Standard | ||