На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | IRFP250N | IRFP250NPBF | IRFP250PBF | |
|---|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | TO-247-3 | ||
Виробник | Виробник | International Rectifier | International Rectifier | Vishay/Siliconix |
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Крізь отвір | ||
Потужність | P | <214 Вт | <214 Вт | <190 Вт |
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 2.159 нФVds = 25V | 2.159 нФVds = 25V | 2.8 нФVds = 25V |
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <200 В | ||
Постійний струм стоку | IDSS | <33 А | ||
Тип каналу польового транзистора | Канал | N-ch | ||
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <75 мОмId, Vgs = 18A, 10V | <75 мОмId, Vgs = 18A, 10V | <85 мОмId, Vgs = 18A, 10V |
Серія MOSFET | Серія | HEXFET® | HEXFET® | PowerMESH™ |
Заряд затвору | QG | 123 нCVgs = 10V | 123 нCVgs = 10V | 140 нCVgs = 10V |
FET Feature | FET Feature | Standard | ||