На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | IRFP22N60C3PBF | IRFP22N60KPBF | |
|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | TO-247-3 (Straight Leads), TO-247AC | |
Виробник | Виробник | Vishay/Siliconix | |
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Крізь отвір | |
Потужність | P | (не задано) | <370 Вт |
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | (не задано) | 3.57 нФVds = 25V |
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <650 В | <600 В |
Постійний струм стоку | IDSS | <22 А | |
Тип каналу польового транзистора | Канал | N-ch | |
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | (не задано) | <280 мОмId, Vgs = 13A, 10V |
Серія MOSFET | Серія | HEXFET® | (не задано) |
Заряд затвору | QG | (не задано) | 150 нCVgs = 10V |
FET Feature | FET Feature | Standard | |