На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | IRFP064N | IRFP064NPBF | IRFP064PBF | IRFP064VPBF | |
|---|---|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | TO-247-3 (Straight Leads), TO-247AC | |||
Виробник | Виробник | International Rectifier | International Rectifier | Vishay/Siliconix | International Rectifier |
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Крізь отвір | |||
Потужність | P | <200 Вт | <200 Вт | <300 Вт | <250 Вт |
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 4 нФVds = 25V | 4 нФVds = 25V | 7.4 нФVds = 25V | 6.76 нФVds = 25V |
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <55 В | <55 В | <60 В | <60 В |
Постійний струм стоку | IDSS | <110 А | <110 А | <70 А | <130 А |
Тип каналу польового транзистора | Канал | N-ch | |||
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <8 мОмId, Vgs = 59A, 10V | <8 мОмId, Vgs = 59A, 10V | <9 мОмId, Vgs = 78A, 10V | <5.5 мОмId, Vgs = 78A, 10V |
Серія MOSFET | Серія | HEXFET® | HEXFET® | (не задано) | HEXFET® |
Заряд затвору | QG | 170 нCVgs = 10V | 170 нCVgs = 10V | 190 нCVgs = 10V | 260 нCVgs = 10V |
FET Feature | FET Feature | Standard | |||