На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | IRFP054N | IRFP054NPBF | IRFP054PBF | IRFP054VPBF | |
|---|---|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | TO-247-3 (Straight Leads), TO-247AC | |||
Виробник | Виробник | International Rectifier | International Rectifier | Vishay/Siliconix | International Rectifier |
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Крізь отвір | |||
Потужність | P | <170 Вт | <170 Вт | <230 Вт | <180 Вт |
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 2.9 нФVds = 25V | 2.9 нФVds = 25V | 4.5 нФVds = 25V | 4.08 нФVds = 25V |
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <55 В | <55 В | <60 В | <60 В |
Постійний струм стоку | IDSS | <81 А | <81 А | <70 А | <93 А |
Тип каналу польового транзистора | Канал | N-ch | |||
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <12 мОмId, Vgs = 43A, 10V | <12 мОмId, Vgs = 43A, 10V | <14 мОмId, Vgs = 54A, 10V | <9 мОмId, Vgs = 54A, 10V |
Серія MOSFET | Серія | HEXFET® | HEXFET® | (не задано) | HEXFET® |
Заряд затвору | QG | 130 нCVgs = 10V | 130 нCVgs = 10V | 160 нCVgs = 10V | 170 нCVgs = 10V |
FET Feature | FET Feature | Standard | |||