На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | IRFP048N | IRFP048NPBF | IRFP048PBF | IRFP048RPBF | |
|---|---|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | TO-247-3 (Straight Leads), TO-247AC | |||
Виробник | Виробник | International Rectifier | International Rectifier | Vishay/Siliconix | Vishay/Siliconix |
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Крізь отвір | |||
Потужність | P | <140 Вт | <140 Вт | <190 Вт | <190 Вт |
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 1.9 нФVds = 25V | 1.9 нФVds = 25V | 2.4 нФVds = 25V | 2.4 нФVds = 25V |
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <55 В | <55 В | <60 В | <60 В |
Постійний струм стоку | IDSS | <64 А | <64 А | <70 А | <70 А |
Тип каналу польового транзистора | Канал | N-ch | |||
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <16 мОмId, Vgs = 37A, 10V | <16 мОмId, Vgs = 37A, 10V | <18 мОмId, Vgs = 44A, 10V | <18 мОмId, Vgs = 44A, 10V |
Серія MOSFET | Серія | HEXFET® | HEXFET® | (не задано) | (не задано) |
Заряд затвору | QG | 89 нCVgs = 10V | 89 нCVgs = 10V | 110 нCVgs = 10V | 110 нCVgs = 10V |
FET Feature | FET Feature | Standard | |||