IRFM120ATF

IRFM120, IRFM120ATF

На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.

Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.

Опис

Параметри

ПараметрIRFM120ATF
Корпус мікросхеми
Корпус
SOT-223 (3 leads + Tab), SC-73, TO-261AA
Виробник
Виробник
Fairchild Semiconductor
Тип монтажу компонента на плату чи в схему
Монтаж
Поверхневий
Потужність
P
<2.4 Вт
Вхідна ємність польового транзистора
C11
480 пФVds = 25V
Постійна напруга між стоком та витоком
UDSS
<100 В
Постійний струм стоку
IDSS
<2.3 А
Тип каналу польового транзистора
Канал
N-ch
Опір каналу у відкритому стані
RDS-ON
<200 мОмId, Vgs = 1.15A, 10V
Заряд затвору
QG
22 нCVgs = 10V
FET Feature
FET Feature
Standard