На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | IRFL024N | IRFL024NPBF | IRFL024NTR | IRFL024NTRPBF | IRFL024Z | IRFL024ZPBF | IRFL024ZTRPBF | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | SOT-223 (3 leads + Tab), SC-73, TO-261AA | ||||||
Виробник | Виробник | International Rectifier | ||||||
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий | ||||||
Потужність | P | <1 Вт | ||||||
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 400 пФVds = 25V | 400 пФVds = 25V | 400 пФVds = 25V | 400 пФVds = 25V | 340 пФVds = 25V | 340 пФVds = 25V | 340 пФVds = 25V |
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <55 В | ||||||
Постійний струм стоку | IDSS | <2.8 А | <2.8 А | <2.8 А | <2.8 А | <5.1 А | <5.1 А | <5.1 А |
Тип каналу польового транзистора | Канал | N-ch | ||||||
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <75 мОмId, Vgs = 2.8A, 10V | <75 мОмId, Vgs = 2.8A, 10V | <75 мОмId, Vgs = 2.8A, 10V | <75 мОмId, Vgs = 2.8A, 10V | <57.5 мОмId, Vgs = 3.1A, 10V | <57.5 мОмId, Vgs = 3.1A, 10V | <57.5 мОмId, Vgs = 3.1A, 10V |
Серія MOSFET | Серія | HEXFET® | ||||||
Заряд затвору | QG | 18.3 нCVgs = 10V | 18.3 нCVgs = 10V | 18.3 нCVgs = 10V | 18.3 нCVgs = 10V | 14 нCVgs = 10V | 14 нCVgs = 10V | 14 нCVgs = 10V |
FET Feature | FET Feature | Logic Level Gate | ||||||