IRFL014NPBF

На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.

Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.

Опис

Параметр		IRFL014N	IRFL014NPBF	IRFL014NTR	IRFL014NTRPBF	IRFL014PBF	IRFL014TR	IRFL014TRPBF
Корпус мікросхеми	Корпус	SOT-223 (3 leads + Tab), SC-73, TO-261AA
Виробник	Виробник	International Rectifier	International Rectifier	International Rectifier	International Rectifier	Vishay/Siliconix	Vishay/Siliconix	Vishay/Siliconix
Тип монтажу компонента на плату чи в схему	Монтаж	Поверхневий
Потужність	P	<1 Вт	<1 Вт	<1 Вт	<1 Вт	<2 Вт	<2 Вт	<2 Вт
Вхідна ємність польового транзистора	C₁₁	190 пФVds = 25V	190 пФVds = 25V	190 пФVds = 25V	190 пФVds = 25V	300 пФVds = 25V	300 пФVds = 25V	300 пФVds = 25V
Постійна напруга між стоком та витоком	U_DSS	<55 В	<55 В	<55 В	<55 В	<60 В	<60 В	<60 В
Постійний струм стоку	I_DSS	<1.9 А	<1.9 А	<1.9 А	<1.9 А	<2.7 А	<2.7 А	<2.7 А
Тип каналу польового транзистора	Канал	N-ch
Опір каналу у відкритому стані	R_DS-ON	<160 мОмId, Vgs = 1.9A, 10V	<160 мОмId, Vgs = 1.9A, 10V	<160 мОмId, Vgs = 1.9A, 10V	<160 мОмId, Vgs = 1.9A, 10V	<200 мОмId, Vgs = 1.6A, 10V	<200 мОмId, Vgs = 1.6A, 10V	<200 мОмId, Vgs = 1.6A, 10V
Серія MOSFET	Серія	HEXFET®	HEXFET®	HEXFET®	HEXFET®	(не задано)	(не задано)	(не задано)
Заряд затвору	Q_G	11 нCVgs = 10V
FET Feature	FET Feature	Standard