На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | IRFL014N | IRFL014NPBF | IRFL014NTR | IRFL014NTRPBF | IRFL014PBF | IRFL014TR | IRFL014TRPBF | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | SOT-223 (3 leads + Tab), SC-73, TO-261AA | ||||||
Виробник | Виробник | International Rectifier | International Rectifier | International Rectifier | International Rectifier | Vishay/Siliconix | Vishay/Siliconix | Vishay/Siliconix |
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий | ||||||
Потужність | P | <1 Вт | <1 Вт | <1 Вт | <1 Вт | <2 Вт | <2 Вт | <2 Вт |
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 190 пФVds = 25V | 190 пФVds = 25V | 190 пФVds = 25V | 190 пФVds = 25V | 300 пФVds = 25V | 300 пФVds = 25V | 300 пФVds = 25V |
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <55 В | <55 В | <55 В | <55 В | <60 В | <60 В | <60 В |
Постійний струм стоку | IDSS | <1.9 А | <1.9 А | <1.9 А | <1.9 А | <2.7 А | <2.7 А | <2.7 А |
Тип каналу польового транзистора | Канал | N-ch | ||||||
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <160 мОмId, Vgs = 1.9A, 10V | <160 мОмId, Vgs = 1.9A, 10V | <160 мОмId, Vgs = 1.9A, 10V | <160 мОмId, Vgs = 1.9A, 10V | <200 мОмId, Vgs = 1.6A, 10V | <200 мОмId, Vgs = 1.6A, 10V | <200 мОмId, Vgs = 1.6A, 10V |
Серія MOSFET | Серія | HEXFET® | HEXFET® | HEXFET® | HEXFET® | (не задано) | (не задано) | (не задано) |
Заряд затвору | QG | 11 нCVgs = 10V | ||||||
FET Feature | FET Feature | Standard | ||||||