На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | IRFIZ48G | IRFIZ48GPBF | IRFIZ48N | IRFIZ48NPBF | IRFIZ48VPBF | |
|---|---|---|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | TO-220-3 Full Pack (Straight Leads, Isolated), ITO-220AB | TO-220-3 Full Pack (Straight Leads, Isolated), ITO-220AB | TO-220-3 Full Pack (Straight Leads) | TO-220-3 Full Pack (Straight Leads) | TO-220-3 Full Pack (Straight Leads) |
Виробник | Виробник | Vishay/Siliconix | Vishay/Siliconix | International Rectifier | International Rectifier | International Rectifier |
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Крізь отвір | ||||
Потужність | P | <50 Вт | <50 Вт | <42 Вт | <54 Вт | <43 Вт |
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 2.4 нФVds = 25V | 2.4 нФVds = 25V | 1.9 нФVds = 25V | 1.9 нФVds = 25V | 1.985 нФVds = 25V |
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <60 В | <60 В | <55 В | <55 В | <60 В |
Постійний струм стоку | IDSS | <37 А | <37 А | <36 А | <40 А | <39 А |
Тип каналу польового транзистора | Канал | N-ch | ||||
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <18 мОмId, Vgs = 22A, 10V | <18 мОмId, Vgs = 22A, 10V | <16 мОмId, Vgs = 22A, 10V | <16 мОмId, Vgs = 22A, 10V | <12 мОмId, Vgs = 43A, 10V |
Серія MOSFET | Серія | (не задано) | (не задано) | HEXFET® | HEXFET® | HEXFET® |
Заряд затвору | QG | 110 нCVgs = 10V | 110 нCVgs = 10V | 89 нCVgs = 10V | 89 нCVgs = 10V | 110 нCVgs = 10V |
FET Feature | FET Feature | Standard | ||||