На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | IRFIZ46G | IRFIZ46N | IRFIZ46NPBF | |
|---|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | TO-220-3 Full Pack (Straight Leads, Isolated), ITO-220AB | TO-220-3 Full Pack (Straight Leads) | TO-220-3 Full Pack (Straight Leads) |
Виробник | Виробник | Vishay/Siliconix | International Rectifier | International Rectifier |
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Крізь отвір | ||
Потужність | P | (не задано) | <45 Вт | <45 Вт |
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | (не задано) | 1.5 нФVds = 25V | 1.5 нФVds = 25V |
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <50 В | <55 В | <55 В |
Постійний струм стоку | IDSS | (не задано) | <33 А | <33 А |
Тип каналу польового транзистора | Канал | N-ch | ||
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | (не задано) | <20 мОмId, Vgs = 19A, 10V | <20 мОмId, Vgs = 19A, 10V |
Серія MOSFET | Серія | (не задано) | HEXFET® | HEXFET® |
Заряд затвору | QG | (не задано) | 61 нCVgs = 10V | 61 нCVgs = 10V |
FET Feature | FET Feature | Standard | ||