IRFIZ34EPBF

IRFIZ34, IRFIZ34E, IRFIZ34EPBF, IRFIZ34G, IRFIZ34GPBF, IRFIZ34N, IRFIZ34NPBF, IRFIZ34VPBF

На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.

Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.

Опис

Параметри

Параметр		IRFIZ34E	IRFIZ34EPBF	IRFIZ34G	IRFIZ34GPBF	IRFIZ34N	IRFIZ34NPBF	IRFIZ34VPBF
Корпус мікросхеми	Корпус	TO-220-3 Full Pack (Straight Leads)	TO-220-3 Full Pack (Straight Leads)	TO-220-3 Full Pack (Straight Leads, Isolated), ITO-220AB	TO-220-3 Full Pack (Straight Leads, Isolated), ITO-220AB	TO-220-5 Full Pack (Straight Leads)	TO-220-3 Full Pack (Straight Leads)	TO-220-3 Full Pack (Straight Leads)
Виробник	Виробник	International Rectifier	International Rectifier	Vishay/Siliconix	Vishay/Siliconix	International Rectifier	International Rectifier	International Rectifier
Тип монтажу компонента на плату чи в схему	Монтаж	Крізь отвір
Потужність	P	<37 Вт	<37 Вт	<42 Вт	<42 Вт	<37 Вт	<37 Вт	<30 Вт
Вхідна ємність польового транзистора	C₁₁	700 пФVds = 25V	700 пФVds = 25V	1.2 нФVds = 25V	1.2 нФVds = 25V	700 пФVds = 25V	700 пФVds = 25V	1.12 нФVds = 25V
Постійна напруга між стоком та витоком	U_DSS	<60 В	<60 В	<60 В	<60 В	<55 В	<55 В	<60 В
Постійний струм стоку	I_DSS	<21 А	<21 А	<20 А	<20 А	<21 А	<21 А	<20 А
Тип каналу польового транзистора	Канал	N-ch
Опір каналу у відкритому стані	R_DS-ON	<42 мОмId, Vgs = 11A, 10V	<42 мОмId, Vgs = 11A, 10V	<50 мОмId, Vgs = 12A, 10V	<50 мОмId, Vgs = 12A, 10V	<40 мОмId, Vgs = 11A, 10V	<40 мОмId, Vgs = 11A, 10V	<28 мОмId, Vgs = 18A, 10V
Серія MOSFET	Серія	HEXFET®	HEXFET®	(не задано)	(не задано)	HEXFET®	HEXFET®	HEXFET®
Заряд затвору	Q_G	34 нCVgs = 10V	34 нCVgs = 10V	46 нCVgs = 10V	46 нCVgs = 10V	34 нCVgs = 10V	34 нCVgs = 10V	49 нCVgs = 10V
FET Feature	FET Feature	Standard