IRFIZ34

IRFIZ34, IRFIZ34E, IRFIZ34EPBF, IRFIZ34G, IRFIZ34GPBF, IRFIZ34N, IRFIZ34NPBF, IRFIZ34VPBF

На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.

Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.

Опис

Параметри

ПараметрIRFIZ34EIRFIZ34EPBFIRFIZ34GIRFIZ34GPBFIRFIZ34NIRFIZ34NPBFIRFIZ34VPBF
Корпус мікросхеми
Корпус
TO-220-3 Full Pack (Straight Leads)TO-220-3 Full Pack (Straight Leads)TO-220-3 Full Pack (Straight Leads, Isolated), ITO-220ABTO-220-3 Full Pack (Straight Leads, Isolated), ITO-220ABTO-220-5 Full Pack (Straight Leads)TO-220-3 Full Pack (Straight Leads)TO-220-3 Full Pack (Straight Leads)
Виробник
Виробник
International RectifierInternational RectifierVishay/SiliconixVishay/SiliconixInternational RectifierInternational RectifierInternational Rectifier
Тип монтажу компонента на плату чи в схему
Монтаж
Крізь отвір
Потужність
P
<37 Вт<37 Вт<42 Вт<42 Вт<37 Вт<37 Вт<30 Вт
Вхідна ємність польового транзистора
C11
700 пФVds = 25V700 пФVds = 25V1.2 нФVds = 25V1.2 нФVds = 25V700 пФVds = 25V700 пФVds = 25V1.12 нФVds = 25V
Постійна напруга між стоком та витоком
UDSS
<60 В<60 В<60 В<60 В<55 В<55 В<60 В
Постійний струм стоку
IDSS
<21 А<21 А<20 А<20 А<21 А<21 А<20 А
Тип каналу польового транзистора
Канал
N-ch
Опір каналу у відкритому стані
RDS-ON
<42 мОмId, Vgs = 11A, 10V<42 мОмId, Vgs = 11A, 10V<50 мОмId, Vgs = 12A, 10V<50 мОмId, Vgs = 12A, 10V<40 мОмId, Vgs = 11A, 10V<40 мОмId, Vgs = 11A, 10V<28 мОмId, Vgs = 18A, 10V
Серія MOSFET
Серія
HEXFET®HEXFET®(не задано)(не задано)HEXFET®HEXFET®HEXFET®
Заряд затвору
QG
34 нCVgs = 10V34 нCVgs = 10V46 нCVgs = 10V46 нCVgs = 10V34 нCVgs = 10V34 нCVgs = 10V49 нCVgs = 10V
FET Feature
FET Feature
Standard