IRFIZ24E

IRFIZ24, IRFIZ24E, IRFIZ24EPBF, IRFIZ24G, IRFIZ24GPBF, IRFIZ24N, IRFIZ24NPBF

На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.

Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.

Опис

Параметри

ПараметрIRFIZ24EIRFIZ24EPBFIRFIZ24GIRFIZ24GPBFIRFIZ24NIRFIZ24NPBF
Корпус мікросхеми
Корпус
TO-220-3 Full Pack (Straight Leads)TO-220-3 Full Pack (Straight Leads)TO-220-3 Full Pack (Straight Leads, Isolated), ITO-220ABTO-220-3 Full Pack (Straight Leads, Isolated), ITO-220ABTO-220-3 Full Pack (Straight Leads)TO-220-3 Full Pack (Straight Leads)
Виробник
Виробник
International RectifierInternational RectifierVishay/SiliconixVishay/SiliconixInternational RectifierInternational Rectifier
Тип монтажу компонента на плату чи в схему
Монтаж
Крізь отвір
Потужність
P
<29 Вт<29 Вт<37 Вт<37 Вт<29 Вт<29 Вт
Вхідна ємність польового транзистора
C11
370 пФVds = 25V370 пФVds = 25V640 пФVds = 25V640 пФVds = 25V370 пФVds = 25V370 пФVds = 25V
Постійна напруга між стоком та витоком
UDSS
<60 В<60 В<60 В<60 В<55 В<55 В
Постійний струм стоку
IDSS
<14 А
Тип каналу польового транзистора
Канал
N-ch
Опір каналу у відкритому стані
RDS-ON
<71 мОмId, Vgs = 7.8A, 10V<71 мОмId, Vgs = 7.8A, 10V<100 мОмId, Vgs = 8.4A, 10V<100 мОмId, Vgs = 8.4A, 10V<70 мОмId, Vgs = 7.8A, 10V<70 мОмId, Vgs = 7.8A, 10V
Серія MOSFET
Серія
HEXFET®HEXFET®(не задано)(не задано)HEXFET®HEXFET®
Заряд затвору
QG
20 нCVgs = 10V20 нCVgs = 10V25 нCVgs = 10V25 нCVgs = 10V20 нCVgs = 10V20 нCVgs = 10V
FET Feature
FET Feature
Standard