На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | IRFIB7N50A | IRFIB7N50APBF | IRFIB7N50LPBF | |
|---|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | TO-220-3 Full Pack (Straight Leads, Isolated), ITO-220AB | ||
Виробник | Виробник | Vishay/Siliconix | ||
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Крізь отвір | ||
Потужність | P | <60 Вт | <60 Вт | <46 Вт |
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 1.423 нФVds = 25V | 1.423 нФVds = 25V | 2.22 нФVds = 25V |
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <500 В | ||
Постійний струм стоку | IDSS | <6.6 А | <6.6 А | <6.8 А |
Тип каналу польового транзистора | Канал | N-ch | ||
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <520 мОмId, Vgs = 4A, 10V | <520 мОмId, Vgs = 4A, 10V | <380 мОмId, Vgs = 4.1A, 10V |
Серія MOSFET | Серія | HEXFET® | ||
Заряд затвору | QG | 52 нCVgs = 10V | 52 нCVgs = 10V | 92 нCVgs = 10V |
FET Feature | FET Feature | Standard | ||