На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | IRFIB6N60A | IRFIB6N60APBF | |
|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | TO-220-3 Full Pack (Straight Leads, Isolated), ITO-220AB | |
Виробник | Виробник | Vishay/Siliconix | |
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Крізь отвір | |
Потужність | P | <60 Вт | |
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 1.4 нФVds = 25V | |
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <600 В | |
Постійний струм стоку | IDSS | <5.5 А | |
Тип каналу польового транзистора | Канал | N-ch | |
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <750 мОмId, Vgs = 3.3A, 10V | |
Серія MOSFET | Серія | HEXFET® | |
Заряд затвору | QG | 49 нCVgs = 10V | |
FET Feature | FET Feature | Standard | |