На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | IRFIB5N50LPBF | IRFIB5N65A | IRFIB5N65A-38 | IRFIB5N65APBF | |
|---|---|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | TO-220-3 Full Pack (Straight Leads, Isolated), ITO-220AB | |||
Виробник | Виробник | Vishay/Siliconix | |||
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Крізь отвір | |||
Потужність | P | <42 Вт | <60 Вт | <60 Вт | <60 Вт |
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 1 нФVds = 25V | 1.417 нФVds = 25V | 1.417 нФVds = 25V | 1.417 нФVds = 25V |
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <500 В | <650 В | <650 В | <650 В |
Постійний струм стоку | IDSS | <4.7 А | <5.1 А | <5.1 А | <5.1 А |
Тип каналу польового транзистора | Канал | N-ch | |||
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <800 мОмId, Vgs = 2.4A, 10V | <930 мОмId, Vgs = 3.1A, 10V | <930 мОмId, Vgs = 3.1A, 10V | <930 мОмId, Vgs = 3.1A, 10V |
Серія MOSFET | Серія | (не задано) | HEXFET® | (не задано) | HEXFET® |
Заряд затвору | QG | 45 нCVgs = 10V | 48 нCVgs = 10V | 48 нCVgs = 10V | 48 нCVgs = 10V |
FET Feature | FET Feature | Standard | |||