IRFI9Z14GPBF

IRFI9, IRFI9Z14G, IRFI9Z14GPBF, IRFI9Z24G, IRFI9Z24GPBF, IRFI9Z24N, IRFI9Z34G, IRFI9Z34GPBF, IRFI9Z34N

На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.

Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.

Опис

Параметри

ПараметрIRFI9Z14GIRFI9Z14GPBFIRFI9Z24GIRFI9Z24GPBFIRFI9Z24NIRFI9Z34GIRFI9Z34GPBFIRFI9Z34N
Корпус мікросхеми
Корпус
TO-220-3 Full Pack (Straight Leads, Isolated), ITO-220ABTO-220-3 Full Pack (Straight Leads, Isolated), ITO-220ABTO-220-3 Full Pack (Straight Leads, Isolated), ITO-220ABTO-220-3 Full Pack (Straight Leads, Isolated), ITO-220ABTO-220-3 Full Pack (Straight Leads)TO-220-3 Full Pack (Straight Leads, Isolated), ITO-220ABTO-220-3 Full Pack (Straight Leads, Isolated), ITO-220ABTO-220-3 Full Pack (Straight Leads)
Виробник
Виробник
Vishay/SiliconixVishay/SiliconixVishay/SiliconixVishay/SiliconixInternational RectifierVishay/SiliconixVishay/SiliconixInternational Rectifier
Тип монтажу компонента на плату чи в схему
Монтаж
Крізь отвір
Потужність
P
<27 Вт<27 Вт<37 Вт<37 Вт<29 Вт<42 Вт<42 Вт<37 Вт
Вхідна ємність польового транзистора
C11
270 пФVds = 25V270 пФVds = 25V570 пФVds = 25V570 пФVds = 25V350 пФVds = 25V1.1 нФVds = 25V1.1 нФVds = 25V620 пФVds = 25V
Постійна напруга між стоком та витоком
UDSS
<60 В<60 В<60 В<60 В<55 В<60 В<60 В<55 В
Постійний струм стоку
IDSS
<5.3 А<5.3 А<8.5 А<8.5 А<9.5 А<12 А<12 А<14 А
Тип каналу польового транзистора
Канал
P-ch
Опір каналу у відкритому стані
RDS-ON
<500 мОмId, Vgs = 3.2A, 10V<500 мОмId, Vgs = 3.2A, 10V<280 мОмId, Vgs = 5.1A, 10V<280 мОмId, Vgs = 5.1A, 10V<175 мОмId, Vgs = 5.4A, 10V<140 мОмId, Vgs = 7.2A, 10V<140 мОмId, Vgs = 7.2A, 10V<100 мОмId, Vgs = 7.8A, 10V
Серія MOSFET
Серія
(не задано)(не задано)(не задано)(не задано)HEXFET®(не задано)(не задано)HEXFET®
Заряд затвору
QG
12 нCVgs = 10V12 нCVgs = 10V19 нCVgs = 10V19 нCVgs = 10V19 нCVgs = 10V34 нCVgs = 10V34 нCVgs = 10V35 нCVgs = 10V
FET Feature
FET Feature
Standard