На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | IRFI9530G | IRFI9530GPBF | IRFI9530N | |
|---|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | TO-220-3 Full Pack (Straight Leads, Isolated), ITO-220AB | TO-220-3 Full Pack (Straight Leads, Isolated), ITO-220AB | TO-220-3 Full Pack (Straight Leads) |
Виробник | Виробник | Vishay/Siliconix | Vishay/Siliconix | International Rectifier |
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Крізь отвір | ||
Потужність | P | <42 Вт | ||
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 860 пФVds = 25V | ||
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <100 В | ||
Постійний струм стоку | IDSS | <7.7 А | ||
Тип каналу польового транзистора | Канал | P-ch | ||
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <300 мОмId, Vgs = 4.6A, 10V | ||
Серія MOSFET | Серія | (не задано) | (не задано) | HEXFET® |
Заряд затвору | QG | 38 нCVgs = 10V | ||
FET Feature | FET Feature | Standard | ||